「毅」新闻 | 把握“芯”机,高投毅达研究院举办第三代半导体产业发展研讨会

发布时间: 2022-12-19 11:04:33

聚焦产业,把握“芯”机。2022年12月9日,由高投毅达研究院主办的“第三代半导体产业发展研讨会”在南京举行。来自政产学等领域的近百位嘉宾齐聚一堂,共同探讨第三代半导体技术的最新研发进展和产业化发展的最新方向。
 
江苏省科技厅党组成员、副厅长赵建国,省工信厅党组成员、副厅长池宇,省国资委副主任、党委委员李秀斌,省政协科学技术委员会副主任陈文娟,省委研究室、省发改委、省地方金融监管局、江苏证监局等政府部门领导及处室负责人,中国半导体行业协会常务副理事长于燮康,中国电子科技集团第五十五研究所副所长、国家第三代半导体创新中心(南京)主任陈辰,英诺赛科产品开发部副总经理王怀锋等专家,毅达资本已投半导体产业链中扬杰科技、芯三代、德智新材、京创电子、亚电科技、道达智能、飞谱电子等近20家企业主要负责人,以及高投集团领导班子成员、毅达资本三代半导体主要研究团队等近百位嘉宾出席研讨会。
 

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被认为是支撑“后摩尔时代”数字经济发展和“双碳”目标下保障能源安全的核心半导体材料,也是世界各国争相布局和加紧攻关的战略高地。

针对当前全国多地加快布局第三代半导体产业的现状,中国半导体行业协会常务副理事长于燮康表示,长三角集成电路产业优势明显,是全国产业基础最扎实、产业链最完整、技术最先进、产业规模最大的聚集区。未来可以各城市专业化分工协作为导向,强化区域内科研机构、人才等交流合作,充分发挥国内应用市场优势,推动产业健康发展。

中国电子科技集团第五十五研究所副所长、国家第三代半导体创新中心(南京)主任陈辰表示,材料是半导体产业链的起点。第三代半导体材料具有高击穿电场、高热导率、高工作温度等优点,在功率、射频、光电显示等应用领域前景广阔,产业链在衬底、外延和器件端均大有可为。

英诺赛科产品开发部副总经理王怀锋认为,氮化镓功率器件满足大功率需求,且体积小能耗低,是解决高频应用主战场未来发展矛盾的绝佳方案,能够有效提升系统功率密度并降低全链路能源消耗,存在巨大的发展机遇。

毅达资本合伙人袁亚光围绕“第三代半导体材料投资的机遇、现状和挑战”进行了主题分享。袁亚光认为,第三代半导体是助推中国式现代化的关键材料,在国防军工、碳中和与新基建三大应用领域已迎来稳步爬升的光明期。但是,我国第三代半导体产业发展也面临着诸多挑战,如成本端、良率、可靠性有待提升,设备、材料、软件存在卡脖子环节,国内外技术存在代差等等。站在投资人视角,他分享了多年来毅达资本在半导体领域的投资逻辑和投资布局,并从解决卡脖子问题、产业链协同等方面提出了政策建议。

近年来,毅达资本围绕半导体产业链进行了全面投资布局,覆盖了芯片设计、芯片制造、EDA软件、装备材料、测试服务等全产业链。截至目前,累计投资93个项目,合计45.92亿元,已培育英诺赛科、奕斯伟等核心企业成为行业独角兽;助推扬杰科技、捷捷微电、中望股份、铖昌科技、臻镭科技等登陆资本市场。
 
会议期间,还举行了高投毅达研究院半导体新材料特聘专家及特聘研究员聘任仪式。
 
 

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聚焦产业,把握“芯”机。2022年12月9日,由高投毅达研究院主办的“第三代半导体产业发展研讨会”在南京举行。来自政产学等领域的近百位嘉宾齐聚一堂,共同探讨第三代半导体技术的最新研发进展和产业化发展的最新方向。
 
江苏省科技厅党组成员、副厅长赵建国,省工信厅党组成员、副厅长池宇,省国资委副主任、党委委员李秀斌,省政协科学技术委员会副主任陈文娟,省委研究室、省发改委、省地方金融监管局、江苏证监局等政府部门领导及处室负责人,中国半导体行业协会常务副理事长于燮康,中国电子科技集团第五十五研究所副所长、国家第三代半导体创新中心(南京)主任陈辰,英诺赛科产品开发部副总经理王怀锋等专家,毅达资本已投半导体产业链中扬杰科技、芯三代、德智新材、京创电子、亚电科技、道达智能、飞谱电子等近20家企业主要负责人,以及高投集团领导班子成员、毅达资本三代半导体主要研究团队等近百位嘉宾出席研讨会。
 

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被认为是支撑“后摩尔时代”数字经济发展和“双碳”目标下保障能源安全的核心半导体材料,也是世界各国争相布局和加紧攻关的战略高地。

针对当前全国多地加快布局第三代半导体产业的现状,中国半导体行业协会常务副理事长于燮康表示,长三角集成电路产业优势明显,是全国产业基础最扎实、产业链最完整、技术最先进、产业规模最大的聚集区。未来可以各城市专业化分工协作为导向,强化区域内科研机构、人才等交流合作,充分发挥国内应用市场优势,推动产业健康发展。

中国电子科技集团第五十五研究所副所长、国家第三代半导体创新中心(南京)主任陈辰表示,材料是半导体产业链的起点。第三代半导体材料具有高击穿电场、高热导率、高工作温度等优点,在功率、射频、光电显示等应用领域前景广阔,产业链在衬底、外延和器件端均大有可为。

英诺赛科产品开发部副总经理王怀锋认为,氮化镓功率器件满足大功率需求,且体积小能耗低,是解决高频应用主战场未来发展矛盾的绝佳方案,能够有效提升系统功率密度并降低全链路能源消耗,存在巨大的发展机遇。

毅达资本合伙人袁亚光围绕“第三代半导体材料投资的机遇、现状和挑战”进行了主题分享。袁亚光认为,第三代半导体是助推中国式现代化的关键材料,在国防军工、碳中和与新基建三大应用领域已迎来稳步爬升的光明期。但是,我国第三代半导体产业发展也面临着诸多挑战,如成本端、良率、可靠性有待提升,设备、材料、软件存在卡脖子环节,国内外技术存在代差等等。站在投资人视角,他分享了多年来毅达资本在半导体领域的投资逻辑和投资布局,并从解决卡脖子问题、产业链协同等方面提出了政策建议。

近年来,毅达资本围绕半导体产业链进行了全面投资布局,覆盖了芯片设计、芯片制造、EDA软件、装备材料、测试服务等全产业链。截至目前,累计投资93个项目,合计45.92亿元,已培育英诺赛科、奕斯伟等核心企业成为行业独角兽;助推扬杰科技、捷捷微电、中望股份、铖昌科技、臻镭科技等登陆资本市场。
 
会议期间,还举行了高投毅达研究院半导体新材料特聘专家及特聘研究员聘任仪式。
 
 

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